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一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  姚飞;  薛春来;  成步文;  王启明
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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Yao F (Yao Fei);  Shi WH (Shi Wen-Hua);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang HJ (Wang Hong-Jie);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Xue, CL, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: clxue@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文政;  姚炜;  朱博;  仇志军;  郭少令;  林铁;  崔利杰;  桂永胜;  褚君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai Zhiqiang;  Wen Wuqi;  Wang Yonggang;  Zhang Zhigang;  Ma Xiaoyu;  Ding Xin;  Yao Jianquan
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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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