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制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
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作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Yao F (Yao Fei);  Shi WH (Shi Wen-Hua);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang HJ (Wang Hong-Jie);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Xue, CL, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: clxue@semi.ac.cn
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作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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