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| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来 ; 张建国; 左玉华; 王启明
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| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
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| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 肖海波; 姚文杰; 谢小兵; 王超; 王占国
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| 一种提高OFDM系统中符号同步精度的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 彭锦; 周立国; 姚小城; 崔秀伶; 方治; 鉴海防; 石寅
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| 一种低发散角分布反馈量子级联激光器结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 张锦川; 刘峰奇; 闫方亮; 姚丹阳; 王利军; 刘俊岐; 王占国
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| 一种低发散角的面區?射量子级联激光器结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 张锦川; 姚丹阳; 闫方亮; 刘峰奇; 王利军; 刘俊岐; 王占国
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| 可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人: 闫方亮; 张锦川; 姚丹阳; 谭松; 王利军; 刘峰奇; 王占国
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| 植物补光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 谢海忠,宋昌斌; 姚然; 卢鹏志; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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