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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
崔军朋
;
段垚
;
王晓峰
;
曾一平
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浏览/下载:1244/216
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提交时间:2009/06/11
在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
崔军朋
;
段垚
;
王晓峰
;
曾一平
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浏览/下载:1197/201
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提交时间:2009/06/11
氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
段垚
;
王晓峰
;
崔军朋
;
曾一平
Adobe PDF(1207Kb)
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浏览/下载:1330/176
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提交时间:2009/06/11
高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓峰
;
段垚
;
崔军朋
;
曾一平
Adobe PDF(440Kb)
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浏览/下载:1194/187
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提交时间:2009/06/11
一种异质结双极晶体管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
姚飞
;
薛春来
;
成步文
;
王启明
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浏览/下载:1189/199
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提交时间:2009/06/11
半导体应变弛豫材料的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
成步文
;
姚飞
;
薛春来
;
张建国
;
左玉华
;
王启明
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浏览/下载:1270/187
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提交时间:2009/06/11
制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
薛春来
;
成步文
;
姚飞
;
王启明
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yao F (Yao Fei)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
;
Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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浏览/下载:993/326
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Yao F (Yao Fei)
;
Shi WH (Shi Wen-Hua)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Wang HJ (Wang Hong-Jie)
;
Yu JZ (Yu Jin-Zhong)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
;
Xue, CL, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: clxue@semi.ac.cn
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浏览/下载:1193/286
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yao F (Yao Fei)
;
Xue CL (Xue Chun-Lai)
;
Cheng BW (Cheng Bu-Wen)
;
Wang QM (Wang Qi-Ming)
;
Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29