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对激发光源无稳定性要求的光激发荧光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 4013
发明人:  谭平恒;  张俊;  赵建华;  姬扬;  赵伟杰
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  蒋春萍;  郑厚植;  邓加军;  杨富华;  牛智川
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
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一种平面微腔增强型探测器及其使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑厚植;  杨富华;  赵建华;  曾一平;  陈京好;  谭平恒
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一种全内反射半导体光波导开关 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-07-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  庄婉如;  杨培生;  石志文;  孙富荣;  高俊华;  段继宁;  邹正中
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