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| 氮化铝谐振式压电MEMS 加速度计研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 杨健
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X. L. HU; L. B. SUN; BEIBEI ZENG; L. S. WANG; Z. G. YU; S. A. BAI; S. M. YANG; L. X. ZHAO; Q. LI; M. QIU; R. Z. TAI; H. J. FECHT; J. Z. JIANG; D. X. ZHANG
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei TB (Wei T. B.); Hu Q (Hu Q.); Duan RF (Duan R. F.); Wei XC (Wei X. C.); Yang JK (Yang J. K.); Wang JX (Wang J. X.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang GH (Wang G. H.); Li JM (Li J. M.); Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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| 氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244159A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 郑怀文; 张逸韵; 吴奎; 杨华 ; 李璟
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| 透明电极GaN基LED结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨华; 王晓峰; 阮军; 王国宏; 曾一平
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| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰
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| 氮化镓基3D垂直结构发光二极管的结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 谢海忠; 张扬; 杨华; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-27, 2013-03-27
发明人: 谢海忠; 卢鹏志; 耿雪妮; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 激光钻孔切割异形发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人: 谢海忠; 于飞; 鲁志远; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 激光诱导空气隙发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13
发明人: 谢海忠; 张逸韵; 鲁志远; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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