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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
低温晶片键合的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:
彭红玲
;
陈良惠
;
郑婉华
;
石 岩
;
渠红伟
;
杨国华
;
何国荣
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提交时间:2010/08/12
在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:
谈笑天
;
郑厚植
;
刘 剑
;
杨富华
Adobe PDF(316Kb)
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浏览/下载:1589/274
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提交时间:2010/08/12
适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:
杨晋玲
;
周美强
;
周 威
;
唐龙娟
;
朱银芳
;
杨富华
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浏览/下载:2399/418
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提交时间:2010/08/12
基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:
戴 扬
;
杜 睿
;
杨富华
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bai YM (Bai YiMing)
;
Wang J (Wang Jun)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Yao JX (Yao JianXi)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Zhang H (Zhang Han)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Huang TM (Huang TianMao)
;
Wang YS (Wang YanShuo)
;
Yang XL (Yang XiaoLi)
;
Bai, YM, N China Elect Power Univ, Sch Renewable Energy Engn, Beijing 102206, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymbai@semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei TB (Wei T. B.)
;
Hu Q (Hu Q.)
;
Duan RF (Duan R. F.)
;
Wei XC (Wei X. C.)
;
Yang JK (Yang J. K.)
;
Wang JX (Wang J. X.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang GH (Wang G. H.)
;
Li JM (Li J. M.)
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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提交时间:2010/06/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
;
Hao, RT, Yunnan Normal Univ, Inst Solar Energy, Key Lab Renewable Energy Adv Mat & Mfg Technol, Educ Minist, Kunming 650092, Yunnan Province, Peoples R China. ruitinghao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/12/28
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期刊论文
作者:
Ning JQ (Ning J. Q.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Wei ZF (Wei Z. F.)
;
Ruan XZ (Ruan X. Z.)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Zheng HZ (Zheng H. Z.)
;
Liu HC (Liu H. C.)
;
Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
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提交时间:2010/12/05
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期刊论文
作者:
Luo J (Luo Jing)
;
Zheng HZ (Zheng HouZhi)
;
Shen C (Shen Chao)
;
Zhang H (Zhang Hao)
;
Zhu K (Zhu Ke)
;
Zhu
;
H (Zhu Hui)
;
Liu J (Liu Jian)
;
Li GR (Li GuiRong)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Zhao JH (Zhao JianHua)
;
Zheng, HZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hzzheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/05/24
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期刊论文
作者:
Huang TM (Huang TianMao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Zhang XW (Zhang XingWang)
;
Bai YM (BaiYiMing)
;
Yin ZG (Yin ZhiGang)
;
Shi HW (Shi HuiWei)
;
Zhang H (Zhang Han)
;
Wang Y (Wang Yu)
;
Wang YS (Wang YanShuo)
;
Yang XL (Yang XiaoLi)
;
Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tmhuang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/14