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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Y.Q.;  Wang, X.D.;  Xu, X.N.;  Liu, W.;  Yang, F.H.;  Zeng, Y.P.;  Wang, X.D.(xdwang@semi.ac.cn)
Adobe PDF(610Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1267/324  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, Y.D.;  Cao, H.Z.;  Yan, W.;  Han, W.H.;  Liu, Y.;  Dong, X.Z.;  Zhang, Y.B.;  Jin, F.;  Zhao, Z.S.;  Yang, F.H.;  Duan, X.M.;  Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：720/83  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁继然;  胡明;  王晓东;  李贵柯;  阚强;  季安;  杨富华;  刘剑;  吴南健;  陈弘达
Adobe PDF(554Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1483/504  |  提交时间：2011/08/16
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1686/383  |  提交时间：2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
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氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人:  彭文博;  曾湘波;  刘石勇;  姚文杰;  谢小兵;  肖海波;  杨萍;  王超;  俞育德
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1287/250  |  提交时间：2012/09/07
半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
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硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1397/343  |  提交时间：2012/09/07
一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张加勇;  王晓峰;  马慧莉;  程凯芳;  王晓东;  杨富华
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