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| 制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 戴瑞烜; 陈诺夫; 彭长涛; 王鹏 Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1320/192  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 白一鸣; 陈诺夫; 戴瑞烜; 王鹏; 王晓东 Adobe PDF(515Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1128/163  |  提交时间:2009/06/11 |
| GeSn合金的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵 Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1496/217  |  提交时间:2011/08/30 |
| 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 赵红卫; 胡炜玄; 成步文; 王启明 Adobe PDF(364Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1055/205  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明 Adobe PDF(216Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1157/164  |  提交时间:2011/08/30 |
| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华 Adobe PDF(307Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1338/110  |  提交时间:2011/08/30 |