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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Zhou W;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Ye XL;  Xu B;  Xu HZ;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Quantum Dots  High Index  Molecular Beam Epitaxy  Photoluminescence  Surface Segregation  Oriented Gaas  Ingaas  Islands  Wells  Disks  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun S;  Wu J;  Liu FQ;  Zu HZ;  Chen YH;  Ye XL;  Jiang WH;  Xu B;  Wang ZG;  Sun S,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Jiang WH;  Liu FQ;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZM;  Li GH;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Wu J;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Inst Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:  Zhou W;  Xu B;  Xu HZ;  Liu FQ;  Liang JB;  Wang ZG;  Zhu ZZ;  Li GH;  Zhou W Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Bimodal Distribution  Photoluminescence (Pl)  Quantum-size Effect  Ge  Ensembles  Si(100)  Growth  Shape  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Zhou W;  Gong Q;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Gong Q;  Xu B;  Wang JZ;  Zhou W;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Acad Sinica,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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