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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan PH;  Xu ZY;  Luo XD;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Tan, PH, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pt290@cam.ac.uk;  yong_zhang@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Zheng);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Ji, Y (Ji, Yang);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Wang, BR (Wang, B. R.);  Huang, SS (Huang, S. S.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Z;  Xu ZY;  Ruan,XZ;  Ji Y;  Sun BQ;  Wang M;  Ni HQ;  Sun, BQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Z (Sun Zheng);  Xu ZY (Xu Zhong-Ying);  Ruan XZ (Ruan Xue-Zhong);  Ji Y (Ji Yang);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn;  ji_ym@mail.sic.ac.cn;  zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu ZY;  Yang XD;  Sun Z;  Sun BQ;  Ji Y;  Li GH;  Sou IK;  Ge WK;  Xu, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙征;  徐仲英;  阮学忠;  姬扬;  孙宝权;  倪海桥
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