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| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏 ; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国
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| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡海洋; 许兴胜; 鲁琳; 宋倩; 杜伟; 王春霞; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张春玲; 唐蕾; 徐波; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王国立; 郭亨群; 苏培林; 张春华; 王启明; 徐骏; 陈坤基
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| 利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 周慧英; 曲胜春; 徐波; 张春林; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JP (Liu Jun-Peng); Qu SC (Qu Sheng-Chun); Chen YH (Chen Yong-Hai); Xu Y (Xu Ying); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Liang LY (Liang Ling-Yan); Wang ZJ (Wang Zhi-Jie); Zhou HY (Zhou Hui-Ying); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu JP (Liu Jun-Peng); Qu SC (Qu Sheng-Chun); Xu Y (Xu Ying); Chen YH (Chen Yong-Hai); Zeng XB (Zeng Xiang-Bo); Wang ZJ (Wang Zhi-Jie); Zhou HY (Zhou Hui-Ying); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang CX (Wang Chun-Xia); Xu XS (Xu Xing-Sheng); Xiong GG (Xiong Gui-Guang); Hu HY (Hu Hai-Yang); Song Q (Song Qian); Du W (Du Wei); Chen HD (Chen Hong-Da); Wang, CX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cxwang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜; 王春霞; 杜伟; 赵致民; 胡海洋; 宋倩; 鲁琳; 阚强; 陈弘达
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