中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人:  王晓亮;  唐 健;  肖红领;  王翠梅;  冉学军;  胡国新;  李晋敏 
Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1418/220  |  提交时间：2010/03/19
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  杨翠柏;  肖红领;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1431/220  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH (Zhu Ning Hua);  Zhang HG (Zhang Hong Guang);  Man JW (Man Jiang Wei);  Zhu HL (Zhu Hong Liang);  Ke JH (Ke Jian Hong);  Liu Y (Liu Yu);  Wang X (Wang Xin);  Yuan HQ (Yuan Hai Qing);  Xie L (Xie Liang);  Wang W (Wang Wei);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1243/466  |  提交时间：2010/03/08