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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  肖红领;  王晓亮;  王军喜;  张南红;  刘宏新;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang Q;  Chen P;  Xin HL;  Wang CX;  Li F;  Liu YL;  Fang, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qingfang@red.semi.ac.cn
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光信道性能监测模块的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  辛红丽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He, YJ;  Yang, L;  Fang, Q;  Xin, HL;  Li, F;  Liu, YL;  He, YJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yjhe@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  贺月娇;  方青;  辛红丽;  陈鹏;  李芳;  刘育梁
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