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| 一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
发明人: 郑婉华; 刘安金; 邢名欣; 渠宏伟; 陈 微; 周文君; 陈良惠
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| 采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人: 郑婉华; 刘安金; 任 刚; 邢名欣; 渠宏伟; 陈良惠
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| 一种制作皮肤干电极的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 裴为华; 陈海峰; 崔世钢; 张若昕; 陈弘达
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| MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韦欣
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| 基于马赫-曾德尔干涉仪滤波原理的单模红外光波长计 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈伟; 张欣; 祝宁华
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王青; 何国荣; 渠红伟; 韦欣; 宋国峰; 陈良惠
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| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军
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| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军
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| 硅V形槽板及利用硅V形槽板装配微丝电极阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 张若昕; 裴为华; 隋小红
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