中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu SJ;  Or CT;  Li Q;  Zheng LX;  Xie MH;  Tong SY;  Yang H;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(89Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：956/295  |  提交时间：2010/08/12
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Xu SJ;  Cheung SH;  Tong SY;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
Adobe PDF(193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1131/243  |  提交时间：2010/11/15
Surface Processes  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Gallium Compounds  Gan(0001) Surfaces  Reconstructions  
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:  Xu SJ;  Or CT;  Li Q;  Zheng LX;  Xie MH;  Tong SY;  Yang H;  Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
Adobe PDF(89Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1200/331  |  提交时间：2010/11/15
Optical-transitions  Photoluminescence  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Q;  Xu SJ;  Cheng WC;  Xie MH;  Tong SY;  Che CM;  Yang H;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(46Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1001/334  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Xu SJ;  Cheung SH;  Tong SY;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：967/314  |  提交时间：2010/08/12