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ⅠB 族元素掺杂ZnO 薄膜的制备及其物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  杨晓丽
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Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晓丽;  陈诺夫;  尹志岗
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