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倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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Design and Simulation Analysis of Spot-Size Converter in Silicon-On-Insulator 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:  Yin XJ (Yin Xiaojie);  Wu YD (Wu Yuanda);  Hu XW (Hu Xiongwei);  Yin, XJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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