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n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
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ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人:  徐晓娜;  胡传贤;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
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