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复杂背景下红外运动小目标实时检测与跟踪技术 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者:  席晓理
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于晓刚;  苗长云;  李鸿强;  陈弘达;  习江涛;  杨海静;  张诚
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  石小溪;  赵国忠;  张存林;  崔利杰;  曾一平
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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
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一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1216/193  |  提交时间:2009/06/11
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1186/179  |  提交时间:2009/06/11