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| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
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Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jing Yang; De-Gang Zhao; De-Sheng Jiang; Ping Chen; Jian-Jun Zhu; Zong-Shun Liu; Ling-Cong Le; Xiao-Guang He; Xiao-Jing Li; Li-Qun Zhang; Jian-Ping Liu; Hui Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Feng Liang; Ping Chen; De-Gang Zhao; De-Sheng Jiang; Zhi-Juan Zhao; Zong-Shun Liu; Jian-Jun Zhu; Jing Yang; Wei Liu; Xiao-Guang He; Xiao-Jing Li; Xiang Li; Shuang-Tao Liu; Hui Yang; Li-Qun Zhang; Jian-Ping Liu; Yuan-Tao Zhang; Guo-Tong Du
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jing Yang; De-Gang Zhao; De-Sheng Jiang; Ping Chen; Zong-Shun Liu; Jian-Jun Zhu; Ling-Cong Le; Xiao-Jing Li; Xiao-Guang He; Li-Qun Zhang; Hui Yang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang Jing, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Li Liang, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Li Xiao-Jing, He Xiao-Guang, Wang Hui, Zhu Jian-Jun, Zhang Shu-Ming, Zhang Bao-Shun, Yang Huia
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li Xiao-Jing, Zhao De-Gang, He Xiao-Guang, Wu Liang-Liang, Li Liang, Yang Jing, Le Ling-Cong, Chen Ping, Liu Zong-Shun, Jiang De-Sheng
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30
发明人: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉
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| 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人: 杨静; 赵德刚; 李亮; 吴亮亮; 乐伶聪; 李晓静; 何晓光
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