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| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植
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| 锑辅助生长的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176490A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨晓光; 杨涛
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| 半导体激光照明光源 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102494299A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-09-07, 2012-09-07
发明人: 王新伟; 杨嘉琦; 石晓光; 周燕
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| 硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 杨涛; 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 季祥海; 王占国
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| 一种高阻GaN薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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| 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 韩伟华; 王昊; 马刘红; 洪文婷; 杨晓光; 杨涛; 杨富华
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| 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 韩伟华; 杨晓光; 杨涛; 王昊; 洪文婷; 杨富华
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| 制备砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 杨晓光; 杨涛
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| 直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人: 杜文娜; 杨晓光; 王小耶; 杨涛; 王占国
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| 高电阻低位错GaN薄膜及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 何晓光; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 乐伶聪; 李晓静; 杨辉
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