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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao DG ; Jiang DS; Zhu JJ; Guo X; Liu ZS; Zhang SM; Wang YT; Yang H; Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邢海英; 范广涵; 章勇; 赵德刚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun X; Jiang DS; Liu WB; Zhu JH; Wang H; Liu ZS; Zhu JJ; Wang YT; Zhao DG; Zhang SM; You LP; Ma RM; Yang H; Sun X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xiansun@semi.ac.cn; dsjiang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu WB; Zhao DG; Sun X; Zhang S; Jiang DS; Wang H; Zhang SM; Liu ZS; Zhu JJ; Wang YT; Duan LH; Yang H; Liu WB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wbliu@semi.ac.cn; dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang H; Wang LL; Sun X; Zhu JH; Liu WB; Jiang DS; Zhu JJ; Zhao DG; Liu ZS; Wang YT; Zhang SM; Yang H; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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| 提高GaN基pin结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 提高GaN基肖特基结构性能的紫外探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈亮; 亢勇; 赵德刚; 李向阳; 龚海梅
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 邢海英; 范广涵; 赵德刚; 何苗; 章勇; 周天明
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| 背照射氮化镓基肖特基结构紫外探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵德刚; 杨辉; 梁骏吾; 李向阳; 龚海梅
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