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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [3]
作者
赵德刚 [1]
叶小玲 [1]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [3]
发表日期
2003 [1]
2000 [2]
语种
英语 [3]
出处
JOURNAL OF... [1]
PHYSICA E,... [1]
THIN SOLID... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [3]
资助机构
Chinese Va... [1]
Lab Semico... [1]
PASPS. [1]
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Resonant tunneling of holes in GaMnAs-related double- barrier structures
会议论文
JOURNAL OF SUPERCONDUCTIVITY, 16 (2), WURZBURG, GERMANY, JUL, 2002
作者:
Wu HB
;
Chang K
;
Xia JB
;
Peeters FM
;
Wu HB Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Zeeman Effect
Gamnas Layer
Double-barrier Structure
Approximation
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Xu DP
;
Yang H
;
Li JB
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Wang YT
;
Sun XL
;
Wu RH
;
Xu DP Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond Beijing 100864 Peoples R China.
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浏览/下载:1106/252
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提交时间:2010/11/15
Cubic Gan
Buffer Layer
Atomic Force Microscopy
Reflection High-energy Electron Diffraction
Movpe
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Sun ZZ
;
Liu FQ
;
Wu J
;
Ye XL
;
Ding D
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(192Kb)
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提交时间:2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots
Inp Substrate
High Index
Mbe
In(Ga
Molecular-beam-epitaxy
Al)as/inAlas/inp
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
Photoluminescence
Inp(001)
Growth
Lasers