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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kongyi Li , Weiying Wang , Zhanghai Chen , Na Gao , Weihuang Yang , Wei Li , Hangyang Chen ,Shuping Li , Heng Li , Peng Jin & Junyong Kang
Adobe PDF(1446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：544/89  |  提交时间：2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shujie Wu, Yonghai Chen, Jinling Yu, Hansong Gao, Chongyun Jiang, Jianliang Huang, Yanhua Zhang, Yang Wei, Wenquan Ma
Adobe PDF(1121Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：454/106  |  提交时间：2014/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo Y (Guo Yan);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Song HP (Song Hua-Ping);  Yang AL (Yang An-Li);  Zheng GL (Zheng Gao-Lin);  Wei HY (Wei Hong-Yuan);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Guo, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: guoyan@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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锥形光子晶体量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237094.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张伟;  王利军;  刘俊岐;  李路;  张全德;  陆全勇;  高瑜;  刘峰奇;  王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1261/262  |  提交时间：2011/08/31
采用等离激元效应制备反型聚合物太阳电池的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  宋维;  张兴旺;  高红丽;  尹志岗
Adobe PDF(346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：624/103  |  提交时间：2014/10/29
材料的微区应力测试系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  高寒松;  陈涌海;  刘雨;  张宏毅;  黄威;  朱来攀;  李远;  邬庆
Adobe PDF(513Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：903/117  |  提交时间：2014/11/24