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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张连;  魏学成;  路坤熠;  魏同波;  王军喜;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu QA;  Wei TB;  Duan RF;  Yang JK;  Huo ZQ;  Lu TC;  Zeng YP;  Hu, QA, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. huqiang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB (Wei Tongbo);  Wang JX (Wang Junxi);  Li JM (Li Jinmin);  Liu Z (Liu Zhe);  Duan RF (Duan Ruifei);  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱沛然;  江伟林;  徐天冰;  殷士端
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低位错氮化镓的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102409406A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  吴奎;  魏同波;  闫建昌;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李璟;  王国宏;  魏同波;  张杨;  孔庆峰
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