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大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓欣;  王启明
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低维Si基材料的制备与发光特性 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  王晓欣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XX (Wang Xiaoxin);  Liu JF (Liu Jifeng);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangxiaoxin@tsinghua.org.cn;  jfliu01@mit.edu
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Photoluminescence mechanism of Si nanocrystals embedded in SiO2 matrix 会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:  Wang XX (Wang Xiaoxin);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Wang QM (Wang Qiming);  Wang, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Porous Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇;  和致经;  魏珂;  梁晓新;  王晓亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo Weijun;  Chen Xiaojuan;  Liang Xiaoxin;  Ma Xiaolin;  Liu Xinyu;  Wang Xiaoliang
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