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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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一种生长可控量子点和量子环的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011
发明人:  赵 暕;  陈涌海;  王占国;  徐 波
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有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
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一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  闫发旺;  高海永;  张 扬;  张会肖;  李晋闽;  曾一平;  王国宏 
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高永海;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma SS (Ma Shan-Shan);  Wang, BR (Wang Bao-Rui);  Sun BQ (Sun Bao-Quan);  Wu DH (Wu Dong-Hai);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Ma, SS, Chinese Acad Sci, SKLSM, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH (Zhu Ning Hua);  Zhang HG (Zhang Hong Guang);  Man JW (Man Jiang Wei);  Zhu HL (Zhu Hong Liang);  Ke JH (Ke Jian Hong);  Liu Y (Liu Yu);  Wang X (Wang Xin);  Yuan HQ (Yuan Hai Qing);  Xie L (Xie Liang);  Wang W (Wang Wei);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL (Wang Hai-Li);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Huang SS (Huang She-Song);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  He ZH (He Zhen-Hong);  Dou XM (Dou Xiu-Ming);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Wang, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  沈海波;  郭亨群;  王国立;  王加贤;  吴志军;  宋江婷;  徐骏;  陈坤基;  王启明
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