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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Zhang, CS;  Shi, MJ;  Tan, FR;  Wang, ZG;  Liu, JP;  Hou, YB;  Teng, F;  Feng, ZH;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Liu, JP;  Zhang, CS;  Tan, FR;  Jin, L;  Wang, ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  He, XW;  Shen, B;  Chen, YH;  Zhang, Q;  Han, K;  Yin, CM;  Tang, N;  Xu, FJ;  Tang, CG;  Yang, ZJ;  Qin, ZX;  Zhang, GY;  Wang, ZG;  He, XW, Peking Univ, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesosco Ph, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: bshen@pku.edu.cn;  yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin, ZJ;  Zhao, JZ;  Corrigan, TD;  Wang, Z;  You, ZD;  Wang, ZG;  Lu, W;  Lin, ZJ, Shandong Univ, Sch Phys & Microelect, Jinan 250100, Peoples R China. 电子邮箱地址: linzj@sdu.edu.cn
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