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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang SG; Zhang XW ; Wang JX; You JB; Yin ZG; Dong JJ; Cui B; Wowchak AM; Dabiran AM; Chow PP; Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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| 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
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| 垂直阵列纳米柱LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
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| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25
发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽
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| 表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人: 朱石超; 赵丽霞; 于治国; 孙雪娇; 王军喜; 李晋闽
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| 可见光通信用单芯片白光LED及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 杨超; 赵丽霞; 朱石超; 刘磊; 于治国; 王军喜; 李晋闽
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