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| 模式相干的双模半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王列松; 赵玲娟; 王圩; 朱洪亮; 潘教青 ; 梁松
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| 定量检测痕量罗丹明6G的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102109467A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张君梦; 曲胜春; 张利胜; 王占国
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| 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 冯玉霞; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
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| 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人: 杨少延; 张恒; 魏鸿源; 焦春美; 赵桂娟; 汪连山; 刘祥林; 王占国
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| 多波长激光器阵列芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 梁松; 张灿; 韩良顺; 朱洪亮; 王圩
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| 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国
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| 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国
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| AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国
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| 一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 赵桂娟; 汪连山; 杨少延; 刘贵鹏; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
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