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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王军喜;  闫建昌;  郭亚楠;  张韵;  田迎冬;  朱邵歆;  陈翔;  孙莉莉;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, P;  Yan, JC;  Zhang, Y;  Wang, JX;  Zeng, JP;  Geng, C;  Cong, PP;  Sun, LL;  Wei, TB;  Zhao, LX;  Yan, QF;  He, CG;  Qin, ZX;  Li, JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong, P;  Yan, JC;  Zhang, Y;  Wang, JX;  Zeng, JP;  Geng, C;  Cong, PP;  Sun, LL;  Wei, TB;  Zhao, LX;  Yan, QF;  He, CG;  Qin, ZX;  Li, JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun LL;  Liu C;  Li JM;  Wang JX;  Yan FW;  Zeng YP;  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. lilisun@semi.ac.cn
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平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1469/264  |  提交时间：2011/08/31
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1677/298  |  提交时间：2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1490/288  |  提交时间：2011/08/31
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1813/288  |  提交时间：2011/08/31
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1474/280  |  提交时间：2011/08/31
发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜
Adobe PDF(162Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1807/390  |  提交时间：2012/09/09