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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [42]
作者
魏学成 [2]
魏同波 [2]
闫建昌 [2]
刘超 [1]
伊晓燕 [1]
文献类型
专利 [38]
期刊论文 [4]
发表日期
2015 [1]
2014 [2]
2011 [1]
语种
中文 [8]
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出处
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专题:中科院半导体照明研发中心
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期刊论文
作者:
王军喜
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闫建昌
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郭亚楠
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张韵
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田迎冬
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朱邵歆
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陈翔
;
孙莉莉
;
李晋闽
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提交时间:2016/04/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
;
Geng, C
;
Cong, PP
;
Sun, LL
;
Wei, TB
;
Zhao, LX
;
Yan, QF
;
He, CG
;
Qin, ZX
;
Li, JM
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong, P
;
Yan, JC
;
Zhang, Y
;
Wang, JX
;
Zeng, JP
;
Geng, C
;
Cong, PP
;
Sun, LL
;
Wei, TB
;
Zhao, LX
;
Yan, QF
;
He, CG
;
Qin, ZX
;
Li, JM
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun LL
;
Liu C
;
Li JM
;
Wang JX
;
Yan FW
;
Zeng YP
;
Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. lilisun@semi.ac.cn
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提交时间:2011/07/05
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
;
刘乃鑫
;
魏同波
;
魏学成
;
马平
;
刘喆
;
曾一平
;
王国宏
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
闫发旺
;
孙莉莉
;
张会肖
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31
采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1813/288
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提交时间:2011/08/31
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2011/08/31
发光二极管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
孙莉莉
;
闫建昌
;
王军喜
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浏览/下载:1807/390
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提交时间:2012/09/09