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| GaN 基垂直结构 LED 工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 汪炼成
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄亚军; 刘志强 ; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(219Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1826/705 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 潘岭峰; 李琪; 刘志强; 王晓峰; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜
Adobe PDF(380Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1321/397 | 提交时间：2012/07/17 |
| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
Adobe PDF(592Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1345/236 | 提交时间：2010/03/19 |
| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 伊晓燕; 王良臣; 王国宏; 李晋闽
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| 光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李晋闽; 王晓东; 王国宏; 王良臣; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王吉武; 黄鲁成; 李剑; 刘王来; 卢文光
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| GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王立彬; 王良臣
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| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王立彬; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 郭德博; 王良臣
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| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳
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