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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HW;  Kan Q;  Wang CX;  Hu HY;  Xu XS;  Chen HD;  Liu, HW, Tianjin Polytech Univ, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300160, Peoples R China. liuhongwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Su SJ;  Cheng BW;  Xue CL;  Wang W;  Cao QA;  Xue HY;  Hu WX;  Zhang GZ;  Zuo YH;  Wang QM;  Su, SJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. clxue@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xue HY (Xue Hai-Yun);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Yu YD (Yu Yu-De);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Xue, HY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xuehy@semi.ac.cn;  cbw@semi.ac.cn
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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