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| 借助保护层的取样光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王 桓; 阚 强; 周 帆; 王宝君; 朱洪亮
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| 用于半导体器件中的取样光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12
发明人: 王 桓; 王宝君; 朱洪亮
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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏
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| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽
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| Demonstration of high efficient tunable lasing with one photonic crystal W1 waveguide 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者: Zheng WH (Zheng Wanhua); Xing MX (Xing Mingxin); Chen; W (Chen Wei); Zhou WJ (Zhou Wenjun); Liu AJ (Liu Anjin); Wang HL (Wang Hailing); Chen LH (Chen Lianghui)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhu NH (Zhu Ning Hua); Zhang HG (Zhang Hong Guang); Man JW (Man Jiang Wei); Zhu HL (Zhu Hong Liang); Ke JH (Ke Jian Hong); Liu Y (Liu Yu); Wang X (Wang Xin); Yuan HQ (Yuan Hai Qing); Xie L (Xie Liang); Wang W (Wang Wei); Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shi HL; Zhang P; Li SS; Sun B; Wang BT; Zhang P Inst Appl Phys & Computat Math LCP POB 8009 Beijing 100088 Peoples R China. E-mail Address: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Gai YQ; Li JB ; Hou QF; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Li JM; Li JB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang H; Zhu HL; Jia LH; Chen XF; Kong DH; Wang LS; Zhang W; Zhao LJ; Wang W; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whuan2l@semi.ac.cn
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