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MDMO-PPV包裹PbS量子点和纳米棒材料及电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
Inventors:  王智杰
Adobe PDF(1127Kb)  |  Favorite  |  View/Download:777/203  |  Submit date:2010/03/19
有机/无机复合半导体材料与体异质结太阳能电池的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
Authors:  王智杰
Adobe PDF(2707Kb)  |  Favorite  |  View/Download:822/66  |  Submit date:2009/04/13
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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应用增益杠杆效应提高分布反馈激光器的波长可调谐范围 期刊论文
中国激光, 1998, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 481
Authors:  庄婉如;  何卿华;  胡雄伟;  陈锦泰;  王志杰;  王圩
Adobe PDF(269Kb)  |  Favorite  |  View/Download:892/230  |  Submit date:2010/11/23
应变补偿InGaAsP/InP量子阱DFB激光器与“扇形”光放大器的集成 期刊论文
半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 97
Authors:  王志杰;  王圩;  王启明
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制作半导体台面侧向电流限制结构的技术 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1997-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王圩;  王志杰;  张济志;  朱洪亮
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金属有机气相外延InGaAsP/InP应变量子阱分布反馈激光器与光放大器集 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1997
Authors:  王志杰
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LP-MOVPE生长的低阈值1.3μm InGaAsP/InP 压、张应变交替 MQW 激光器特性 期刊论文
光子学报, 1997, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 418
Authors:  王志杰;  陈博;  王圩;  张济志;  朱洪亮;  周帆;  王玉田;  金才政;  马朝华
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LP-MOVPE生长的1.3μmInGaAsP/InP张压应变交替MQW特性 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 232
Authors:  王志杰;  陈博;  王圩;  张济志;  朱洪亮;  周帆;  金才政;  马朝华;  王启明
Adobe PDF(278Kb)  |  Favorite  |  View/Download:898/331  |  Submit date:2010/11/23
Amplifier Modulation for Low-Chirp From a Monolithic Strained-Layer MQW InGaAsP/InP Distributed-Feedback-Laser/Tapered Amplifier 期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 478
Authors:  Wang ZJ(王志杰);  Ceng HQ(曾汉奇);  Jiang ZP(姜子平);  Wang W(王圩);  Wang QM(王启明)
Adobe PDF(130Kb)  |  Favorite  |  View/Download:774/220  |  Submit date:2010/11/23