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硅基水平III-V族纳米线晶体管的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  张望
Adobe PDF(5766Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：735/32  |  提交时间：2017/06/01
纳米线晶体管  Soi图形衬底  水平iii-v族纳米线  界面态  变温电学特性  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张奇;  赵懿昊;  董振;  王翠鸾;  李伟;  刘素平;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, Yanbo;  Du, Yandong;  Xiong, Ying;  Yang, Xiang;  Han, Weihua;  Yang, Fuhua,;  Han, W.(weihua@semi.ac.cn)
Adobe PDF(747Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：991/286  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3233/1392  |  提交时间：2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, Y.D.;  Cao, H.Z.;  Yan, W.;  Han, W.H.;  Liu, Y.;  Dong, X.Z.;  Zhang, Y.B.;  Jin, F.;  Zhao, Z.S.;  Yang, F.H.;  Duan, X.M.;  Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
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SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
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一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人:  李小明;  韩伟华;  张严波;  颜伟;  杜彦东;  陈燕坤;  杨富华
Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：822/91  |  提交时间：2014/10/24
一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
发明人:  杨添舒;  刘雯;  时彦朋;  马静;  张端;  郑婉华;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(1332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：814/66  |  提交时间：2014/12/25