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掩埋有高反射率布拉格反射镜的基片键合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  滕学公;  王启明
Adobe PDF(567Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1201/212  |  提交时间：2009/06/11
硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  毛容伟;  滕学公;  李传波;  左玉华;  罗丽萍;  成步文;  于金中;  王启明
Adobe PDF(641Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1394/202  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Mao RW;  Zuo YH;  Li CB;  Cheng BW;  Teng XG;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Mao, RW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Joint Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: maorongwei@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(57Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1003/322  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  毛容伟;  成步文;  李传波;  左玉华;  滕学公;  罗丽萍;  余金中;  王启明
Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1328/365  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Mao RW;  Li CB;  Zuo YH;  Cheng BW;  Teng XG;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Mao, RW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: maorongwei@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(134Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：858/297  |  提交时间：2010/03/09
Fabrication of low cost Si-based tunable high performance resonant cavity enhanced photodetectors 会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:  Mao RW;  Li CB;  Zuo YH;  Cheng BW;  Teng XG;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Mao, RW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Joint Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(154Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1424/401  |  提交时间：2010/03/29
Quantum-efficiency  
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2 会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China.
收藏  |  浏览/下载：842/0  |  提交时间：2010/10/29
Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC;  Duan SK,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Integrated Optoelect Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：809/208  |  提交时间：2010/08/12
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 195 (1-4), LA JOLLA, CALIFORNIA, MAY 31-JUN 04, 1998
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(161Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1058/205  |  提交时间：2010/11/15
Diodes  
MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1363/364  |  提交时间：2010/11/15
Gan  Mgal2o4  Movpe  Led  Diodes