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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LG (Li, Li-Gong);  Liu SM (Liu, Shu-Man);  Luo S (Luo, Shuai);  Yang T (Yang, Tao);  Wang LJ (Wang, Li-Jun);  Liu JQ (Liu, Jun-Qi);  Liu FQ (Liu, Feng-Qi);  Ye XL (Ye, Xiao-Ling);  Xu B (Xu, Bo);  Wang ZG (Wang, Zhan-Guo)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Li-Gong;  Liu, Shu-Man;  Luo, Shuai;  Yang, Tao;  Wang, Li-Jun;  Liu, Feng-Qi;  Ye, Xiao-Ling;  Xu, Bo;  Wang, Zhan-Guo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LG (Li Li-Gong);  Liu SM (Liu Shu-Man);  Luo S (Luo Shuai);  Yang T (Yang Tao);  Wang LJ (Wang Li-Jun);  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Ye XL (Ye Xiao-Ling);  Xu B (Xu Bo);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨涛;  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  季祥海;  王占国
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直接在Si衬底上自催化生长InAsSb纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23
发明人:  杜文娜;  杨晓光;  王小耶;  杨涛;  王占国
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硅衬底上生长纳米线的衬底处理方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-14
发明人:  杨涛;  王小耶
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