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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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电学测试的汞探针装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:
纪 刚
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
刘兴昉
;
赵永梅
;
王 雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2010/08/12
一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:
孙国胜
;
王 雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
叶志仙
;
刘兴昉
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浏览/下载:1785/301
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提交时间:2010/08/12
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
王 亮
;
刘兴昉
;
赵万顺
;
王 雷
;
李晋闽
;
曾一平
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun LL
;
Yan FW
;
Zhang HX
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
;
Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: lilisuny@sohu.com
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提交时间:2010/04/03
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
;
Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun LL
;
Yan FW
;
Zhang HX
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
;
Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun L
;
Zhou WZ
;
Yu GL
;
Shang LY
;
Gao KH
;
Zhou YM
;
Lin T
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Chu JH
;
Sun L Chinese Acad Sci Shanghai Inst Tech Phys Natl Lab Infrared Phys Shanghai 200083 Peoples R China. E-mail Address: yug@mail.sitp.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1635/274
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1876/307
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
;
Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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浏览/下载:1158/443
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提交时间:2010/03/08