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| 电学测试的汞探针装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12 发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1844/331  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12 发明人: 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉 Adobe PDF(801Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1773/301  |  提交时间:2010/08/12 |
| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1512/262  |  提交时间:2010/03/19 |
| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1448/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1267/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(1125Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:970/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓峰; 曾一平; 孙国胜; 黄风义; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种高温碳化硅半导体材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李晋闽; 孙国胜; 朱世荣; 曾一平; 孙殿照; 王雷 Adobe PDF(876Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1250/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1471/264  |  提交时间:2011/08/31 |
| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波; 魏学成; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1679/298  |  提交时间:2011/08/31 |