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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Zhao DG;  Sun YP;  Duan LH;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhou SQ;  Wu MF;  Wang J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Wang J;  Zhao DG;  Feng G;  Fu Y;  Zhang SM;  Zhang ZH;  Feng ZH;  Bai YX;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Fu Y;  Qu B;  Wang YT;  Feng ZH;  Shen XM;  Zhao DG;  Zheng XH;  Duan LH;  Li BC;  Zhang SM;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe