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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. L. HU;  L. B. SUN;  BEIBEI ZENG;  L. S. WANG;  Z. G. YU;  S. A. BAI;  S. M. YANG;  L. X. ZHAO;  Q. LI;  M. QIU;  R. Z. TAI;  H. J. FECHT;  J. Z. JIANG;  D. X. ZHANG
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王军喜;  闫建昌;  郭亚楠;  张韵;  田迎冬;  朱邵歆;  陈翔;  孙莉莉;  李晋闽
Adobe PDF(2006Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：541/20  |  提交时间：2016/04/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Y;  Leung, SYY;  Zhao, J;  Wong, CKY;  Yuan, CA;  Zhang, GQ;  Sun, FL;  Luo, LL
Adobe PDF(1664Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：428/68  |  提交时间：2015/03/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fan, XK;  Tao, L;  Deng, Y;  Wang, G;  Zhang, J;  Zhao, Y;  Huang, WB;  Zhao, HY;  Sun, LF
Adobe PDF(444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：701/150  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈弘毅;  陈宇;  孙玲;  郭睿倩;  潘庆;  何杰
Adobe PDF(1014Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1177/278  |  提交时间：2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan, Jianchang;  Wang, Junxi;  Cong, Peipei;  Sun, Lili;  Liu, Naixin;  Liu, Zhe;  Zhao, Chao;  Li, Jinmin;  Yan, J.(yanjc@semi.ac.cn)
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平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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