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氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  孙波;  王国宏
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应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
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全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  孙波;  伊晓燕;  刘志强;  汪炼成;  郭恩卿;  王国宏
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