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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Shi-Ming;  Xiao Hong-Ling;  Wang Quan;  Yan Jun-Da;  Zhan Xiang-Mi;  Gong Jia-Min;  Wang Xiao-Liang;  Wang Zhan-Guo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou Xu-Liang;  Pan Jiao-Qing;  Yu Hong-Yan;  Li Shi-Yan;  Wang Bao-Jun;  Bian Jing;  Wang Wei
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一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
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在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  李士颜;  周旭亮;  于鸿艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
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基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
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ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
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在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人:  李士颜;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:618/84  |  提交时间:2014/11/24
在硅上集成HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:558/93  |  提交时间:2014/11/24