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一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
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在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人:  李士颜;  周旭亮;  于鸿艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
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基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
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ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  李梦珂;  周旭亮;  于红艳;  李士颜;  米俊萍;  潘教青
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在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-24
发明人:  李士颜;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  米俊萍;  潘教青
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在硅上集成HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  米俊萍;  周旭亮;  于红艳;  李梦珂;  李士颜;  潘教青
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