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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng XY;  Zhang Q;  Shen B;  Shi JR;  Yin CM;  He XW;  Xu FJ;  Wang XQ;  Tang N;  Jiang CY;  Chen YH;  Chang K;  Peng, XY (reprint author), Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P, Beijing 100871, Peoples R China. bshen@pku.edu.cn;  yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang TM (Huang TianMao);  Chen NF (Chen NuoFu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Bai YM (BaiYiMing);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Shi HW (Shi HuiWei);  Zhang H (Zhang Han);  Wang Y (Wang Yu);  Wang YS (Wang YanShuo);  Yang XL (Yang XiaoLi);  Huang, TM, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tmhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang H (Zhang Han);  Chen NF (Chen NuoFu);  Wang Y (Wang Yu);  Zhang XW (Zhang XingWang);  Yin ZG (Yin ZhiGang);  Shi HW (Shi HuiWei);  Wang YS (Wang YanSuo);  Huang TM (Huang TianMao);  Bai YM (Bai YiMing);  Fu Z (Fu Zhen)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄添懋;  陈诺夫;  张兴旺;  白一鸣;  尹志岗;  施辉伟;  张汉;  汪宇;  王彦硕;  杨晓丽
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增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  尹志岗;  张曙光;  张兴旺;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  高红丽;  施辉东
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利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  施辉伟;  陈诺夫;  黄添懋;  尹志岗;  吴金良;  张汉
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在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄添懋;  陈诺夫;  施辉伟;  尹志岗;  吴金良;  王彦硕;  汪宇;  张汉
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ZnO纳米棒发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  施辉东;  张兴旺;  张曙光;  尹志岗;  董敬敬;  刘鑫
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