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| 提高硅薄膜致密性的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 谭满清; 赵妙
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| 一种产生超短光脉冲的单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵谦; 潘教清; 周帆; 王宝军; 王圩
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| 基于电吸收调制器光开关技术产生超短光脉冲的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 潘教清; 赵谦; 王圩
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| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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| 异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟
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| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩
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| 一种表面贴装LED用的陶瓷外壳 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-11-20
发明人: 谭满清; 郭小峰; 刘珩; 曹迎春; 赵亚利
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| 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 魏学成; 赵丽霞; 王莉; 孔庆峰; 卢鹏志; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 周旭亮; 于红艳; 潘教青; 赵玲娟; 王圩
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| 可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 余力强; 赵玲娟; 朱洪亮; 吉晨; 陆丹; 潘教青; 王圩
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