|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕 ; 王国宏
 Adobe PDF(278Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1359/211 | 提交时间：2012/09/09 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
Adobe PDF(317Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1566/234 | 提交时间：2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
Adobe PDF(343Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1499/262 | 提交时间：2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏
Adobe PDF(314Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1696/266 | 提交时间：2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏
Adobe PDF(292Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1499/268 | 提交时间：2011/08/31 |
| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(290Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1434/236 | 提交时间：2011/08/31 |
| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(311Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1351/248 | 提交时间：2011/08/31 |
| 自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 孙波; 伊晓燕; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏
Adobe PDF(219Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1558/285 | 提交时间：2012/09/09 |
| GaN基薄膜芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(757Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1078/190 | 提交时间：2012/09/09 |
| 一种LED外延片的切裂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人: 孔庆峰; 郭金霞; 纪攀峰; 马平; 王文军; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(1296Kb) | 收藏 | 浏览/下载：624/3 | 提交时间：2016/08/30 |
