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| 氮化镓基辐射伏特电池的漏电分析与控制 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 杨倩
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| 单层二硒化钼及氮化铝缺陷的光学性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 杨倩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang W (Yang Wei); Luo HH (Luo Hai-Hui); Qian X (Qian Xuan); Ji Y (Ji Yang); Yang, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡海洋; 许兴胜 ; 鲁琳; 宋倩; 杜伟; 王春霞; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜; 王春霞; 杜伟; 赵致民; 胡海洋; 宋倩; 鲁琳; 阚强; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜; 王春霞; 宋倩; 杜伟; 胡海洋; 赵致民; 鲁琳; 阚强; 陈弘达
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| 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李丙乾; 张书明; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王勇刚; 马骁宇; 刘阳; 孙利群; 田芊
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 罗谦; 杨谟华; 杜江锋; 梅丁蕾; 王良臣; 白云霞
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张世斌; 廖显伯; 安龙; 杨富华; 孔光临; 王永谦; 徐艳月; 陈长勇; 刁宏伟
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